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一种液态锡加热连续硫化硒化法制备CZTSSe薄膜的方法及其CZTSSe薄膜和应用

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专利号 2015103285924 专利名称 一种液态锡加热连续硫化硒化法制备CZTSSe薄膜的方法及其CZTSSe薄膜和应用
专利类型 发明专利 国际分类 C23C14/58(2006.01),H01L31/032(2006.01)
申请人 申请地址 524037广东省湛江市赤坎寸金路29号
发明人 申请日期 2015-06-15
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 08:00:33
专利摘要 本发明公开了一种液态锡加热连续硫化硒化法制备CZTSSe薄膜的方法及其CZTSSe薄膜和应用。先利用溅射法在镀钼玻璃上制备CuZnSnS合金薄膜或者CuS/ZnS/Sn多层交叠膜作为前驱体,在此薄膜上蒸镀一层Se膜,再利用不同温度的液态锡作为加热源,在含有硫元素的氮气气氛下,对前驱体薄膜进行硫化硒化,最后制备完成CZTSSe太阳能电池吸收层薄膜。本发明不仅可保证高均匀度的快速升温,还能抑制样品中的锡流失,保证了样品的组分可控,提高了样品的质量从而提高电池的效率,是一种能耗低、均匀度高、升温速度快的制备太阳能电池吸收层CZTSSe薄膜的方法,在材料与能源利用率和工业化生产方面具有明显的优势。

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