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一种基于3-噻吩乙酸界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2020114937918
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2020114937918 | 专利名称 | 一种基于3-噻吩乙酸界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H10K 30/15 (2023.01),H10K 71/12 (2023.01),H10K 85/60 (2023.01),H10K 30/40 (2023.01),H10K 30/50 (2023.01),H10K 71/60 (2023.01),H10K 30/85 (2023.01),H10K 30/80 (2 |
| 申请人 | 华南理工大学,华南协同创新研究院 | 申请地址 | 广东省广州市天河区五山路381号 |
| 发明人 | 申请日期 | 2020-12-16 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-13 08:00:04 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种基于3‑噻吩乙酸界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该电池包括阴极基底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和阳极电极。该方法包括：阴极基底上依次旋涂氧化锡电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层和空穴传输层，蒸镀阳极电极，得到该太阳能电池。3‑噻吩乙酸中的羧基可与氧化锡表面的羟基发生酯化反应形成键合作用，噻吩环中的S元素与钙钛矿中的Pb离子发生键合作用。3‑噻吩乙酸界面修饰层的加入降低了氧化锡电子传输层表面的功函数，使得氧化锡电子传输层与钙钛矿吸光层能级更匹配，有利于光生电子高效地收集。加入3‑噻吩乙酸界面修饰层后，提高了钙钛矿的结晶性，钙钛矿内部缺陷得到抑制。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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