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专利号	2019102539851	专利名称	一种以InSe为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L51/42,H01L51/46,H01L51/48
申请人	华南理工大学	申请地址	广东省广州市天河区五山路381号
发明人	於黄忠	申请日期	2019-03-30
下证状态	已下证	更新时间	2026-07-10 15:07:51
专利摘要	本发明公开了一种以In2Se3为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法，该有机太阳能电池包括依次层叠设置的阳极基底、空穴传输层、活性层、电子传输层以及阴极层；所述空穴传输层为In2Se3。本发明制得的有机太阳能电池，使用高电导率、高透光率的In2Se3，首先，In2Se3具有较高的电导率，可以有效的提升有机太阳能电池的电荷传输效率，降低了对薄膜厚度的敏感性；其次In2Se3透光率较高，能让活性层有效利用入射光；最后，本发明中将In2Se3粉末用去离子水与异丙醇混合配成溶液后加以旋涂成膜，更为环境友好。

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