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专利号	2020105029088	专利名称	卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的合成方法及其应用
专利类型	发明专利	国际分类	H01M4/62(20060101),H01M4/48(20100101),H01M10/36(20100101)
申请人	桂林电子科技大学	申请地址	广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
发明人	邓健秋	申请日期	2020-06-05
下证状态	未知	更新时间	2025-01-13 07:59:11
专利摘要	本发明公开了一种卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的合成方法及其应用，本发明采用溶剂热法合成了卤素离子掺杂钛空位二氧化钛，具体方法如下：以有机醇类试剂为溶剂、含钛试剂为钛源，氢卤酸作为掺杂剂制备得到卤素离子掺杂的钛空位二氧化钛。然后采用三电极电池装置对卤素离子掺杂钛空位二氧化钛的电化学性能进行了测试，与商业二氧化钛相比，具有阳离子空位结构的二氧化钛的储能机制主要以Al<Sup>3+</Sup>的脱嵌反应为主，阳离子空位的存在极大的提高了材料的电化学活性和导电性，赋予了材料更优异的循环稳定性与高的能量密度。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件