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一种用于抑制Yb/Er:NaGdF4上转换发光纳米晶中浓度猝灭效应的方法

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专利号 2016103878159 专利名称 一种用于抑制Yb/Er:NaGdF4上转换发光纳米晶中浓度猝灭效应的方法
专利类型 发明专利 国际分类 C09K11/85
申请人 中国计量大学 申请地址 浙江省杭州市江干区学源街中国计量大学现代科技学院逸夫科技楼801
发明人 雷磊 申请日期 2016-06-01
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 07:53:34
专利摘要 本发明属于无机发光材料领域。一种用于抑制Yb/Er:NaGdF4上转换发光纳米晶中浓度猝灭效应的方法,依次包括如下步骤:将乙酸钆,乙酸铒,乙酸镁,乙酸镱,油酸,十八烯加入到三颈瓶中,得到无水的透明溶液A;待A溶液自然冷却至30℃后,将氢氧化钠和氟化铵的甲醇溶液逐滴加入到A溶液中;待甲醇溶液全部挥发之后,升温并保温,自然冷却到室温;纳米晶用乙醇和环己烷混合液洗涤,然后烘干后得到最终产物。该方法的优点是制备方法简单、成本低、产量高。

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