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一种氮化铁薄膜的制备方法

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专利号 2016104699796 专利名称 一种氮化铁薄膜的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C23C14/58,C23C14/34,C23C14/08
申请人 中国计量大学 申请地址 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号
发明人 李静 申请日期 2016-06-26
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 07:53:29
专利摘要 本发明涉及一种氮化铁薄膜的制备方法。该方法是采用激光脉冲沉积的方法,通过控制沉积温度、时间和氧气流量,来制备氧化铁薄膜;通入氢气,在300~400℃还原4‑20h,以获得铁薄膜;通入氨气,在120~200℃氮化1~30h;氮化过程中施加磁场,诱导氮化铁的取向,磁场强度0.1~2T;降温,随炉冷却至室温,取出样品,即可获得氮化铁薄膜。该方法可以直接获得高α"‑Fe16N2含量的氮化铁薄膜,有利于薄膜器件的集成应用,此外采用磁场热处理的方法,使薄膜氮化时产生晶体学取向,方便的控制薄膜的晶体学易磁化轴。

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