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一种高性能纳米晶磁体的制备方法

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专利号 2021107488919 专利名称 一种高性能纳米晶磁体的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01F41/02(2006.01)
申请人 申请地址 310018浙江省杭州市钱塘区下沙学源街258号
发明人 泮敏翔 申请日期 2021-07-02
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 07:53:19
专利摘要 本发明公开了一种高性能纳米晶磁体的制备方法,属于磁性材料技术领域。该制备方法包括:采用熔体快淬法制备Sm2Fe17薄带与低熔点Sm5Cu5薄带;将Sm2H2粉、α‑Fe粉、Sm2Fe17和Sm5Cu5合金薄带按一定的比例混合,并在氢气正压气氛下高能球磨后获得混合粉末;然后在氮气气氛中通过磁场取向成型低温辅助技术制备压坯,并进行N2气保护下的烧结炉内进行氮化热处理,实现钐铁氮相的自组装合成及液态相低熔点合金中的稀土对硬磁主相的原子扩散,获得高性能的纳米晶磁体。本发明方法工艺简单,降低了成本,耗能小,有利于高性能钐铁氮磁体在更多永磁器件中的应用,以满足市场需求。

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