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一种低介电损耗CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>陶瓷的负压烧结方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2020114755549
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2020114755549 | 专利名称 | 一种低介电损耗CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>陶瓷的负压烧结方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C04B35/64(2006.01),C04B35/622(2006.01),C04B35/462(2006.01) |
| 申请人 | 申请地址 | 330000江西省南昌市瑶湖高校园区 | |
| 发明人 | 申请日期 | 2020-12-14 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-13 07:45:38 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种制备低介电损耗、高介电常数的钛酸铜钙CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷的负压烧结方法，以解决现有烧结技术制备的CCTO陶瓷介电损耗较高的技术问题。本发明的技术方案是：CCTO陶瓷坯体在气氛炉中经过常压空气气氛下的升温阶段1、常压空气气氛下的保温阶段1、负压空气气氛下的升温阶段2、负压空气气氛下的保温阶段2、高含量氧气的氧氮混合气氛下的降温阶段1、高含量氧气的氧氮混合气氛下的保温阶段3和常压空气气氛下随炉冷却的降温阶段2后而得到CCTO陶瓷。本发明技术方案所得的CCTO陶瓷不仅介电常数得到提高，而且介电损耗明显降低，介电损耗值低达0.02。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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