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提高NAND Flash存储可靠性的数据存储方法

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专利号 201410653332X 专利名称 提高NAND Flash存储可靠性的数据存储方法
专利类型 发明专利 国际分类 H03M13/03
申请人 Harbin Institute of Technology Shenzhen 申请地址 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明人 魏德宝;邓立宝;赵浩然;乔立岩 申请日期 2014-11-17
下证状态 已下证 更新时间 2026-07-10 15:07:51
专利摘要 提高NAND Flash存储可靠性的数据存储方法,属于固态硬盘存储技术领域。解决了现有的方法在处理NAND Flash的数据贮存错误和编程干扰错误中,有效性依赖于待处理数据的前后字节具有很强的相关性;以及浪费有效的存储空间和需要配备完善的数据增位缓冲机制才可以实现与页宽度的对齐,不能与地址映射算法进行透明适配的问题。技术方案为:在数据存储至NAND Flash之前应用半字节短码重映射编码,而在从NAND Flash中读出数据后应用半字节短码反映射解码,通过提升吞吐数据中“1”的比例,以达到提高数据存储可靠性。本发明适用于以NAND Flash为主存储芯片的固态存储设备。

交易流程

转让材料

买卖双方需提供 平台提供 转让后买方可获得
企业 个人 专利代理委托书
专利权转让协议
办理文件副本请求书
发明人变更声明
专利证书
手续合格通知书
专利登记簿副本
买方 企业营业执照
企业组织机构代码证
身份证
卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
专利证书原件

服务保障

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