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一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法

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专利号 2017103290809 专利名称 一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L51/42(2006.01),H01L51/48(2006.01)
申请人 Shaanxi Normal University 申请地址 710062陕西省西安市长安南路199号
发明人 高斐;王昊旭;雷婕;李娟�;姜杰轩;胡西红 申请日期 2017-05-11
下证状态 已下证 更新时间 2026-07-10 15:07:51
专利摘要 本发明公开了一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法,该方法在采用旋涂法制备钙钛矿薄膜的过程中,通过对钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液施加强而稳定的磁场,促进了钙钛矿CH3NH3PbI3成膜过程中晶粒的长大,增加了钙钛矿晶粒尺寸,提高了结晶质量、降低了缺陷密度,从而提高了CH3NH3PbI3薄膜太阳能电池光电转化效率和寿命。

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