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一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2017101618683
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2017101618683 | 专利名称 | 一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01B13/00,C30B29/22,H01B12/12,C30B1/00,C30B31/06 |
| 申请人 | 申请地址 | 陕西省西安市长安区西长安街620号陕西师范大学长安校区 | |
| 发明人 | 申请日期 | 2017-03-17 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 08:32:54 |
| 专利摘要 | 本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及到一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱环、压制固相支撑层、压制液相源先驱块、压制Yb2O3支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴稀土钡铜氧超导环、渗氧处理步骤。本发明的底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴稀土钡铜氧超导环的生长；不仅大大简化了环状超导体的制备过程，避免了由块状超导体加工至环状超导体过程中样品被破坏的可能性，同时也可以直接观察到环形超导体在生长完成后上表面的宏观生长形貌。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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