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专利号	2019105757129	专利名称	一种具有侧边PN结的复合光电探测器及其制作方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L27/144(2006.01)I,H01L31/0352(2006.01)I,H01L31/18(2006.01)I
申请人	湖南师范大学	申请地址	湖南省长沙市岳麓区麓山南路
发明人	金湘亮	申请日期	2019-06-28
下证状态	已下证	更新时间	2026-07-10 15:07:51
专利摘要	本发明公开了一种具有侧边PN结的复合光电探测器，包括P型衬底，P型衬底上设有高压深N阱，高压深N阱内设有环形N阱，环形N阱中通过光刻、注入磷离子形成环形的N+阳极；环形N阱内设有中心圆形P阱，环形N阱与中心圆形P阱形成侧边二极管的感光结构，中心圆形P阱中设有N型TFET结构。本发明通过环形N阱与中心圆形P阱形成的侧边二极管结构作为感光区域，同时利用中心圆形P阱内的隧穿场效应晶体管结构，加快了器件的工作频率。本发明还公开了一种具有侧边PN结的复合光电探测器的制作方法。

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