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专利号	201910577179X	专利名称	一种双向增强型栅控可控硅静电保护器件及其制作方法
专利类型	发明专利	国际分类
申请人	湖南师范大学	申请地址
发明人	金湘亮	申请日期	2019-06-28
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 08:04:58
专利摘要	本发明公开了一种双向增强型栅控可控硅静电保护器件，包括衬底P‑Sub，衬底P‑Sub上设有NBL区，NBL区上设有第一DN‑Well区、第一P‑EPI区、第二DN‑Well区、第二P‑EPI区、第三DN‑Well区；第一P‑EPI区中设有第一P‑Well区，第一P‑Well区中设有第一多晶硅栅；第二P‑EPI区中设有第二P‑Well区，第二P‑Well区中设有第二多晶硅栅。本发明的第一多晶硅栅和第二多晶硅栅构成增强型栅控结构，采用增强型栅控结构能够使得双向可控硅器件的导通电阻降低，可控硅的正反馈回路增益提高，失效电流有效提高，不会过早发生软失效和表面击穿现象。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件