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专利号	2019105823667	专利名称	低噪声宽光谱响应的单光子雪崩光电二极管及其制作方法
专利类型	发明专利	国际分类
申请人	湖南师范大学	申请地址
发明人	金湘亮	申请日期	2019-06-28
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 08:04:57
专利摘要	本发明公开了一种低噪声宽光谱响应的单光子雪崩光电二极管，包括衬底P‑Sub，衬底P‑Sub上设有PBL区，PBL区上设有P‑EPI区，P‑EPI区中设有P‑Well区，P‑Well区中设有P+注入区，P‑EPI区内侧设有DN‑Well区，DN‑Well区中设有N‑Well区，N‑Well区中设有N+注入区；N+注入区、N‑Well区、DN‑Well区、PBL区，构成全耗尽区域。本发明中全耗尽区域的存在能够使得器件的光子检测概率提高，而且耗尽区会使得电场分布峰值远离器件材料的表面区域，大幅度降低材料缺陷引起的能级捕获问题，降低所述器件的暗电流，达到低噪声的目的。

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