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双半桥注入锁相功率合成无极灯

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专利号 2013101560326 专利名称 双半桥注入锁相功率合成无极灯
专利类型 发明专利 国际分类 H05B41/285
申请人 阮雪芬 申请地址 浙江省兰溪市桃花坞35号(甲)
发明人 阮树成 申请日期 2013-04-15
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 07:43:45
专利摘要 本发明涉及电光源照明技术领域,具体是一种双半桥注入锁相功率合成无极灯。包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、无极灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片4、6、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器,两个自振荡芯片4、6的RC振荡器共接电阻R<sub>4</sub>、电容C<sub>5</sub>同步振荡,自振荡芯片4及半桥逆变器A输出功率变压器T<sub>1</sub>与自振荡芯片6及半桥逆变器B输出功率变压器T<sub>2</sub>反相馈入相加耦合器,功率合成经磁环电感耦合到灯管启辉,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器锁定相位,获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降。本发明适用于大功率无极灯照明场合。

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