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一种太阳能P型多晶硅片的制作工艺

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专利号 2020113170735 专利名称 一种太阳能P型多晶硅片的制作工艺
专利类型 发明专利 国际分类 C30B 28/04 (2006.01);C30B 29/06 (2006.01);B28D 5/00 (2006.01)
申请人 安阳工学院 申请地址 河南省安阳市高新区黄河大道西段
发明人 刘振东;刘笑笑;晁军峰 申请日期 2020-11-23
下证状态 已下证 更新时间 2026-07-10 15:07:51
专利摘要 本发明公开了一种太阳能P型多晶硅片的制作工艺,生产工序步骤包括:(1)原料准备;(2)P型硅锭的制备;(3)硅锭的切割开方;(4)硅片的切割和清洗;所用原料包括:纯度6N的原生硅料、循环硅料、掺杂剂镓;所述循环硅料包括循环硅板、循环硅块、循环硅片、循环硅粉。其中的循环硅料在使用前需经过去杂提纯处理,铸锭时在坩埚边缘用循环硅料填充,在坩埚中心用掺杂镓的原生硅料填充,原生硅料中镓的掺杂浓度从坩埚底部到坩埚顶部逐渐减小,顶部镓的浓度为零,然后将装填硅料的坩埚置于微波烧结炉中,在氩气保护下经过升温、保温、降温后出炉,即得到镓掺杂均匀的P型硅锭。本发明充分利用了循环硅料,制备的硅片品质稳定。  

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