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一种天然气孔、裂隙储层脉冲中子测井数值模拟方法

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专利号 2018114913329 专利名称 一种天然气孔、裂隙储层脉冲中子测井数值模拟方法
专利类型 发明专利 国际分类 G06F30/20(2020.01),E21B49/00(2006.01)
申请人 East China Institute of Technology 申请地址 344000 江西省抚州市学府路56号
发明人 杨志超;张雪昂;肖慧;刘军;董丽媛;黄宏鑫;辛秋生 申请日期 2018-12-07
下证状态 已下证 更新时间 2026-07-10 15:07:51
专利摘要 本发明涉及一种天然气孔、裂隙储层脉冲中子测井数值模拟方法。基于Hudson裂隙理论建立天然气孔、裂隙储层地质模型,通过脉冲中子源向储层中发射快中子,模拟快中子与储层中各介质发生的核反应及运动过程,探测并记录剩余的未被俘获的热中子,计算热中子密度分布得到脉冲中子测井响应。经试验,本发明公开的一种天然气孔、裂隙储层脉冲中子测井数值模拟方法可有效模拟脉冲中子在天然气孔、裂隙储层中的核反应及运动过程,探测未被俘获的热中子并计算热中子密度分布。分别展示了50度和70度两种裂隙角度下的热中子密度分布情况,本发明为分析不同裂隙角度与脉冲中子测井响应之间的关系提供了理论支持,进而为实际生产提供了有效的指导方法。

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身份证
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