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专利号	2018114576113	专利名称	一种复合介电薄膜及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类
申请人	东华理工大学	申请地址
发明人	金天翔	申请日期	2018-11-30
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 07:33:46
专利摘要	本发明公开了一种复合介电薄膜，由聚偏氟乙烯和金纳米颗粒制备成，其中，金纳米颗粒体积分数为0.01～0.02vol％，其余为聚偏氟乙烯，以聚偏氟乙烯作为绝缘保护层，金纳米颗粒为中间层，构成聚合物‑金属‑聚合物三明治结构。制备方法如下：取聚偏氟乙烯树脂加入到溶剂中溶解均匀形成聚偏氟乙烯溶液；将聚偏氟乙烯溶液均匀涂布在模具表面，干燥制成PVDF薄膜；将PVDF薄膜置于离子溅射仪或磁控溅射镀膜仪中进行单面镀金处理；将镀金后的薄膜置于模腔中，镀金面向上，在模腔中加入聚偏氟乙烯溶液，烘干后从模具上剥离即得PVDF/金纳米颗粒复合介电薄膜。本发明的复合介电薄膜介电常数较高，介电损耗较低，机械性能优异，尤其是断裂伸长率，适合工业化生产。

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