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专利号	2018104279483	专利名称	一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01J1/34(2006.01),H01J9/12(2006.01)
申请人	东华理工大学	申请地址	330000江西省南昌市经济技术开发区广兰大道418号
发明人	彭新村	申请日期	2018-05-07
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 07:33:36
专利摘要	本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源，属于光电阴极技术领域，结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应，将光场和电荷局限于有源区，大幅度提升入射光的吸收率，降低光电子输运距离，还可以降低表面光反射导致的有害光电发射对电子束品质的影响，从而有效提升量子效率和电子束的品质。GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源可以采用纳米压印刻蚀、自组装纳米球刻蚀、电子束光刻、聚焦离子束刻蚀等工艺进行制备，工艺技术成熟，稳定性好，可应用于大型电子加速器、微光夜视、扫描电镜等领域。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
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