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一种二氧化钒薄膜真空计及其制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2016111077006
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2016111077006 | 专利名称 | 一种二氧化钒薄膜真空计及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | G01L21/12 |
| 申请人 | 东华理工大学 | 申请地址 | 江西省南昌市经开区广兰大道418号 |
| 发明人 | 邹继军 | 申请日期 | 2016-12-06 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 07:33:23 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种二氧化钒薄膜真空计，该真空计的核心是二氧化钒薄膜，二氧化钒薄膜可以通过管式炉在SiO<sub>2</sub>/Si、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/Si、石英、蓝宝石等衬底上生长得到。将生长好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板放入到电子束蒸发镀膜机沉积铬层，而后利用刻蚀金属模板，在感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀没有被模板保护的二氧化钒薄膜；再放入电子束蒸发镀膜机，用刻蚀好的二氧化钒薄膜贴合电极金属模板进行沉积金层；最后，用快速热退火技术消除二氧化钒薄膜表面残余应力和组织缺陷，从而得到二氧化钒薄膜器件。将二氧化钒薄膜器件与微控制器、光源控制电路、电压源、电流采集电路和显示电路连接到一起，构成一个完整的真空计。由于二氧化钒薄膜材料对于温度和红外光照都极其敏感，这种真空计具有测量范围较宽，易于使用、成本低和体积小的特点。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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