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一种共沉积制备类石墨烯花状二硫化钼材料的方法

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专利号 2016109852491 专利名称 一种共沉积制备类石墨烯花状二硫化钼材料的方法
专利类型 发明专利 国际分类 C25B1/00(2006.01)
申请人 东华理工大学 申请地址 330013江西省南昌市昌北广兰大道418号
发明人 柳玉辉 申请日期 2016-10-25
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 07:33:22
专利摘要 一种共沉积制备类石墨烯花状二硫化钼材料的方法,本发明涉及一种类石墨烯二硫化钼的制备方法。本发明是要提供一种类石墨烯花状二硫化钼材料的共沉积制备方法。制法:一、把LiCl、KCl、KSCN、(NH4)2MoO4加入电解炉的电解槽中加热熔融,得到电解质体系;二、以金属钼为工作电极,石墨为辅助电极,银/氯化银(1wt.%)为参比电极,进行电解,将电解槽沉积出物质取出,降至常温,将固相物过滤出来,洗涤、烘干,得到类石墨烯花状二硫化钼材料。本发明采用含钼和硫元素的原料通过熔盐共沉积的方法恒电流电解一步制备,工艺简单,成本低,MoS2结晶状态好,晶格畸变小,分散性好,可用作催化剂、润滑剂及制备光电器件。

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