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一种用于阵列发射线圈的均匀磁场补偿结构及其设计方法

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专利号 201911170869X 专利名称 一种用于阵列发射线圈的均匀磁场补偿结构及其设计方法
专利类型 发明专利 国际分类 H02J50/00, H02J50/10, H02J7/00
申请人 南京师范大学 申请地址 210046 江苏省南京市栖霞区文苑路1号
发明人 王维 申请日期 2019-11-26
下证状态 已下证 更新时间 2026-07-28 04:53:48
专利摘要 本发明公开了一种用于阵列发射线圈的均匀磁场补偿结构及其设计方法,适用于多种功率的无线充电场合,通过配置不同形状的辅助线圈可帮助线圈阵列产生在某一高度的均匀磁场,可保证在充电范围内的充电装置通过的磁场强度均匀,在智能家居、生产生活等应用场合,本发明实用性高、可实施性强,具有很好的经济性和社会意义。

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