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一种基于可逆结构相变的二阶非线性光学开关材料及其制备方法

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  • 2017101535159

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专利号 2017101535159 专利名称 一种基于可逆结构相变的二阶非线性光学开关材料及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类
申请人 申请地址
发明人 申请日期 2017-03-15
下证状态 未知 更新时间 2025-01-09 14:11:49
专利摘要 一种镉硫氰酸配位聚合物及其制备方法,该镉硫氰酸配位聚合物化学式为(C5H14N)[Cd(SCN)3],其中“(C5H14N)”为质子化N,N‑二甲基异丙铵阳离子。室温下该化合物结晶于正交晶系,空间群为Cmc21,单胞参数为α=β=γ=90°,Z=4;该镉硫氰酸配位聚合物以硫酸镉8/3水合物和N,N‑二甲基异丙胺、硫氰酸钾和稀硫酸为原料制备。该镉硫氰酸配位聚合物具有良好的二阶非线性光学特性,室温下其粉末倍频效应的强度为商业应用广泛的二阶非线性光学材料磷酸二氢钾(简称KDP)的2倍左右;当温度升高到50℃左右时,会发生固态结构相变而导致倍频信号消失,可以作为一种固态非线性光学开关材料。制备方法简单、原料来源充足、易操作、生产成本低廉、产率较高、重现性好、纯度也很高,适合扩大化生产的要求。  

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身份证
专利证书原件

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