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专利号	201610620605X	专利名称	一种有序硅纳米孔道薄膜/氧化铟锡电极电化学检测铅离子的方法
专利类型	发明专利	国际分类	G01N27/48
申请人	浙江理工大学	申请地址	浙江省杭州市下沙高教园区2号大街5号
发明人	刘吉洋;程博文;周璘;袁坤;奚凤娜	申请日期	2016-07-29
下证状态	未知	更新时间	2025-05-27 08:07:56
专利摘要	本发明公开了一种有序硅纳米孔道薄膜/氧化铟锡电极电化学检测铅离子的方法，包括以下步骤：(1)将待检样品与缓冲液混合得到pH值为3.6～6.0的待测液；(2)以有序硅纳米孔道薄膜/氧化铟锡电极作为工作电极，恒电压法富集待测液中的铅离子，富集电压为‑0.8V～‑0.6V；(3)将完成富集的电极置于空白的pH值为3.6～6.0的缓冲液中，利用微分脉冲伏安法测得峰电流值，根据标准曲线计算待检样品中的铅离子浓度；所述微分脉冲伏安法扫描的起始电位为‑0.95V～‑0.65V，终止电位为‑0.4V～0.5V。本发明检测方法可实现对痕量铅离子的检测，在实际样品的检测尤其是生物复杂样品的检测中具有潜在应用价值。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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