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一种蓝光CdSe纳米片的晶型调控方法

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专利号 2019101852213 专利名称 一种蓝光CdSe纳米片的晶型调控方法
专利类型 发明专利 国际分类 C01B19/04;C09K11/88;B82Y40/00;B82Y20/00
申请人 湖北大学 申请地址 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
发明人 曹万强;张阮;张超键;梅明;郑康 申请日期 2019-03-12
下证状态 未知 更新时间 2023-06-14 08:26:31
专利摘要 本发明公开了一种蓝光CdSe纳米片的晶型调控方法。它是在传统蓝光CdSe纳米片合成的基础上降低反应温度、延长反应时间。其中CdSe纳米片是通过将醋酸镉二水合物、硒粉、油酸加入到十八烯(ODE)在惰性气体氛围下脱气制得。本发明的优点是:通过精确地调控反应的温度和反应的时间,可以将合成的纳米片从面心立方闪锌矿结构向六方纤锌矿结构之间互相转换,从而更好地调控纳米片的晶体结构、发射峰和尺寸大小。此外,已有的纤锌矿合成技术中硒源是Se‑ODE,而本发明将硒源由Se‑ODE改成Se粉,Se‑ODE合成时间约为6h,改成Se粉后反应时间只有3min‑1h,同时未反应完的Se粉可以直接沉淀,使得离心提纯更加容易。

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