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一种半导体晶圆扩晶工艺

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专利号 2018105347543 专利名称 一种半导体晶圆扩晶工艺
专利类型 发明专利 国际分类 H01L21/02;H01L21/67
申请人 李涵 申请地址 江苏省南京市西康路1号河海大学
发明人 李涵;孙勇 申请日期 2018-05-29
下证状态 未知 更新时间 2023-05-18 08:06:49
专利摘要 本发明属于半导体封装技术领域,具体的说是一种半导体晶圆扩晶工艺,包括如下步骤:用直拉单晶制造法得到掺有杂质的硅锭;硅锭制造完成后,对硅锭进行切片得到晶圆,接着进行对晶圆磨片和倒角;晶圆磨片和倒角之后,对晶圆进行化学和超声波清洗;晶圆清洗过后,利用晶圆扩晶器进行扩晶,扩晶的同时进行贴蓝膜。本发明主要用于扩晶自动化生产,工艺流程简单不复杂,速度快且省力,芯片间距可调,扩晶后芯片间距一致,大大提高扩晶的效率和扩晶的产品质量。

交易流程

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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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