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一种铜纳米线制备方法及铜纳米线复合透明导电薄膜
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2017102244396
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2017102244396 | 专利名称 | 一种铜纳米线制备方法及铜纳米线复合透明导电薄膜 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01B1/02;H01B13/00;H01B5/14 |
| 申请人 | 电子科技大学中山学院 | 申请地址 | 广东省中山市学院路1号 |
| 发明人 | 刘萍;王亚雄;曾葆青;刘黎明;杨健君 | 申请日期 | 2017-04-07 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-05-20 09:24:25 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种铜纳米线制备方法及铜纳米线复合透明导电薄膜。所述铜纳米线制备方法的初始原料为水、十八烷基胺、金属铜盐和维生素C，可制备得到直径为40‑100nm、长度为40‑150um、表面光滑的铜纳米线。所述铜纳米线复合透明导电薄膜由上至下依次包括上聚甲基丙烯酸甲酯层、铜纳米线层、下聚甲基丙烯酸甲酯层和透明基底，透光率为40%‑90%，方块电阻值为5‑200Ω/cm2，表面粗糙度为15‑100nm。本发明公开的铜纳米线制备工艺成本低廉、过程简单、可批量生长超长铜纳米线。所述铜纳米线复合透明导电薄膜，采用双层聚甲基丙烯酸甲酯结构，可以提高铜纳米线网格与衬底之间的粘附力，减小铜纳米线网格的表面粗糙度，增加铜纳米线之间接触面积，并且可以将铜纳米线与空气隔绝，防止铜纳米线被氧化，提高薄膜导电性能和稳定性。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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