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专利号	2016110267855	专利名称	一种纳米硅阵列负极材料的制备方法及其应用
专利类型	发明专利	国际分类
申请人	苏州大学	申请地址	江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
发明人	王海波;赵建庆;余雁	申请日期	2016-11-17
下证状态	未知	更新时间	2023-04-18 08:27:13
专利摘要	本发明公开了一种纳米硅阵列负极材料的制备方法及其应用，包括下列步骤：先将硅酸盐溶于溶剂中，搅拌制得溶液，向溶液中加入水解抑制剂，在反应容器中水解；其次，在水解的溶液中加入基体材料，基体材料加入前进行前处理；然后在密封反应容器中进行溶剂热反应，反应保温后，将反应器冷却至室温，取出材料洗涤、干燥，获得二氧化硅纳米阵列；最后，通过金属催化还原制得用于锂离子电池的纳米硅阵列负极材料。本发明的方法操作方便，制备过程易于实施，获得的负极材料可逆容量高，循环性能好，是一种很有应用前景的锂离子电池负极材料。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件