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专利号	2016110919242	专利名称	一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L51/48;H01L51/44;H01L51/42
申请人	苏州大学	申请地址	江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号
发明人	马万里;凌旭峰;袁建宇	申请日期	2016-12-01
下证状态	未知	更新时间	2023-04-18 08:27:01
专利摘要	本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。在阴极基底上，室温下采用射频磁控溅射制备氧化铌薄膜形成传输电子的电子传输层；在电子传输层上制备钙钛矿吸光层，再依次制备用于传输空穴的空穴传输层和收集空穴的阳极，得到钙钛矿太阳能电池。本发明在室温条件下制备氧化铌电子传输层的方法，具有工艺简单、可控，制备的氧化铌薄膜均匀性、重复性好的特点，可实现大规模生产；同时，室温条件下利用射频磁控溅射方法制备的氧化铌薄膜作为电子传输层无需高温煅烧，使得整个钙钛矿太阳能电池的生产过程都能在低温下进行（≤100℃），尤其适用于柔性衬底。

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	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件