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专利号	2016109633282	专利名称	黑硅光阴极的制备方法及其应用
专利类型	发明专利	国际分类	H01L31/0224;H01L31/18
申请人	苏州大学	申请地址	江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
发明人	方亮;苏晓东;蔡卫东	申请日期	2016-10-28
下证状态	未知	更新时间	2023-04-18 08:26:01
专利摘要	本发明公开了一种黑硅光阴极的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一硅片；S2、将硅片放入氢氟酸溶液中清洗，再放入氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中反应，最后在盐酸和过氧化氢的混合溶液中反应，在硅片表面进行制绒；S3、将具有绒面的硅片放入氢氟酸溶液中清洗，然后放入金属盐溶液中反应，将反应完的硅片放入氢氟酸和过氧化氢的混合溶液中反应，对硅片表面的绒面进行刻蚀；S4、在刻蚀后的硅片表面沉积活性薄膜层，活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种，得到黑硅光阴极。本发明中的黑硅光阴极在硅片的绒面上进一步沉积活性薄膜层，可有效提高黑硅光阴极的光电转换性能，大大提高了光电器件的光开路电压，能够增加光电转换效率。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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