欢迎来到中细软旗下技术转移平台

服务热线：400-700-0065

节能环保新能源新材料高端制造生物产业数字创意

院校

免费询价在线咨询

专利号	2015104293326	专利名称	一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L51/40;H01L51/48;H01L51/56;H01L21/363
申请人	苏州大学	申请地址	江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
发明人	廖良生;王照奎;张磊	申请日期	2015-07-21
下证状态	未知	更新时间	2023-04-18 08:16:59
专利摘要	本发明提供一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其特征在于制备步骤如下第一步：在ITO透明导电基板上通过真空热蒸镀法沉积或者旋涂法涂布主体材料，其中主体材料为NPB、a‑NPD、2‑TNATA、m‑MTDATA、TPD或Poly‑TPD；第二步：在第一步的主体材料表面通过真空热蒸镀法沉积或者旋涂法涂布客体材料，即得用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其中客体材料为F2‑HCNQ或F4‑TCNQ。本发明提供的制备方法使得原本需要通过共蒸掺杂的客体材料通过漂移进入主体材料中，从而达到掺杂的作用。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件