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一种用于探测百草枯分子的PS@SiO<sub>2</sub>人工抗体的制备方法

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专利号 2015107402471 专利名称 一种用于探测百草枯分子的PS@SiO<sub>2</sub>人工抗体的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 G01N33/531
申请人 合肥学院 申请地址 安徽省合肥市经济开发区锦绣大道99号
发明人 高大明;侯婷婷;魏良勤;江晓敏;郑传阳;漆天瑶;周杨群;张慧;朱德春;管航敏;张凌云 申请日期 2015-11-05
下证状态 未知 更新时间 2022-10-28 08:21:40
专利摘要 一种用于探测百草枯分子的PS@SiO<sub>2</sub>人工抗体的制备方法,其特征在于:所述的人工抗体中洗脱位于SiO<sub>2</sub>壳层中的印记分子,SiO<sub>2</sub>壳层的内部形成具有与印记分子结构、大小和功能基互补的空穴结构,其人工抗体具有对目标分析物分子的特异性识别位点,实现对其选择性识别和探测,本发明包括如下两个步骤:首先合成了单分散的、表面携带羧基功能单体的PS微球。然后其表面的羧基与百草枯分子通过静电相互作用,再在其表面包覆一层可控壳厚的SiO<sub>2</sub>壳层,洗脱百草枯,形成了识别和检测百草枯分子的人工抗体,其纳米壳层厚度可控,壳层的刚性强,比表面积大,形成识别位点的空间结构稳定、有效位点多、选择性好、对目标分子识别效率高。

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