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基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法

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  • 201611184781X

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专利号 201611184781X 专利名称 基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类
申请人 西安科锐盛创新科技有限公司 申请地址 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场(B座)第2幢1单元22层12202号房51号
发明人 张亮;左瑜 申请日期 2016-12-20
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 10:03:51
专利摘要 本发明涉及一种基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法。该方法包括:选取GeOI衬底;在所述GeOI衬底表面生长GaAs材料;在所述GaAs材料上按照所述套筒偶极子天线的结构制作多个SPiN二极管串;制作直流偏置线以连接所述SPiN二极管串与直流偏置电源;利用多个所述SPiN二极管串制作所述天线臂和所述套筒;制作所述同轴馈线以连接所述天线臂及所述套筒,最终形成所述套筒偶极子天线。本发明实施例的套筒偶极子天线,通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通,形成等离子天线臂及套筒长度的可调,从而实现天线工作频率的可重构,具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。

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