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垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法

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专利号 2018108885406 专利名称 垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C23C14/08, C23C14/16, C23C14/18, C23C14/35, G11B5/851
申请人 泉州凯华新材料科技有限公司 申请地址 福建省泉州市南安市溪美街道镇山工业路43号
发明人 吴华疆 申请日期 2018-08-07
下证状态 已下证 更新时间 2026-07-13 14:46:23
专利摘要 本发明提供了一种垂直磁各向异性磁记录薄膜的制备方法,包括如下步骤:准备玻璃基片;在玻璃基片表面镀敷MnO层;在MnO层上镀敷第一MnGa层;在第一MnGa层上镀敷第一Pt层;在第一Pt层上镀敷第一FePt层;在第一FePt层上镀敷第二MnGa层;在第二MnGa层上镀敷FeCo层;在FeCo层上镀敷第二FePt层;以及在第二FePt层上镀敷Cr层。本发明的磁记录薄膜对于制备工艺要求不严格。同时,本发明的磁记录薄膜的矫顽力适当的大,使得本发明的材料能够切实抵抗外界干扰。此外,本发明的剩磁较大,矩形比较高,使得本发明的磁记录薄膜有望成为一种性能优良的磁记录材料。

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