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双信号分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用

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专利号 2019101340060 专利名称 双信号分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 G01N27/48, G01N27/30
申请人 安徽师范大学 申请地址 安徽省芜湖市九华南路189号
发明人 阚显文;柴绒 申请日期 2019-02-22
下证状态 已下证 更新时间 2026-07-15 04:43:03
专利摘要 本发明公开了一种双信号分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用,该双信号分子印迹电化学传感器包括由基体电极和第一聚合层、纳米层、第二聚合层,第一聚合层、纳米层、第二聚合层由下向上依次负载于基体电极的表面;第一聚合层为聚对氨基苯磺酸聚合膜,纳米层为聚硫堇与金原子形成的纳米线层,第二聚合层为聚邻苯二胺层且表面形成有与双酚A相对应的印迹孔穴。该双信号分子印迹电化学传感器具有成本低、操作简单、性能稳定、灵敏度高、选择性好的优点,进而使得该传感器在双酚A的检测中能够得以广泛应用,同时该制备方法具有工序简单和操作简便的优点。

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