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专利号	2016110512594	专利名称	一种改进的结型场效应管
专利类型	发明专利	国际分类	H01L29/06;H01L29/808
申请人	温岭腾科电子有限公司	申请地址	广东省东莞市松山湖高新技术产业工发区生产力大厦406
发明人	李风浪;李舒歆	申请日期	2016-11-25
下证状态	未缴费	更新时间	2026-07-13 20:03:49
专利摘要	本发明涉公开了一种改进的结型场效应管，P型衬底；N型注入区；P型注入区；P型重掺杂区；N型重掺杂的漏区和源区；所述漏区与所述P型注入区之间的第一绝缘隔离层；所述源区与所述P型注入区之间的第二绝缘隔离层，所述第一绝缘隔离层下的N型注入区上表层中形成P型掺杂区，所述P型掺杂区上表层中形成N型掺杂区，所述N型注入区与P型掺杂区构成的PN结与P型掺杂区与N型掺杂区构成的PN结相连，形成第一常闭型JFET结构。本发明的结型场效应晶体管耐压性能得到有效提高。

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