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一种Cu2O纳米阵列的制备方法

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专利号 2017100649720 专利名称 一种Cu2O纳米阵列的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C25D11/34,B82Y40/00
申请人 桂林理工大学 申请地址 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号
发明人 江瑶瑶 申请日期 2017-02-05
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 10:06:44
专利摘要 本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L~0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶液混合均匀,配制成弱酸性电解液;以Cu片作阳极,Pt片作阴极,在15 V~35 V的阳极氧化电压下氧化2~18分钟,即在Cu片上获得Cu2O纳米阵列。其光电压达到0.0801~0.2693 V。本发明制备工艺简单、周期短,通过改变工艺条件能有效地控制样品Cu2O纳米阵列的厚度及其光电性能。

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