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一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法

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专利号 2016100383775 专利名称 一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法
专利类型 发明专利 国际分类 C23C16/34
申请人 江苏中商碳素研究院有限公司 申请地址 江苏省徐州市沛县经济开发区沛公路北侧、汉润路东侧(科技创业园)
发明人 赵士超 申请日期 2016-01-20
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 09:51:21
专利摘要 本发明涉及一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法。目前六方氮化硼原子层薄膜的可通过化学气相沉积法生长,但六方氮化硼原子层薄膜生长质量不高,比如单晶晶畴尺寸小,薄膜表层有分散的氮化硼颗粒物或连续的颗粒膜,这些都影响到氮化硼薄膜的性能与应用。本方法通过化学气相沉积法首先合成氮化硼薄膜,然后在不同气氛中对薄膜进行热处理去除表层中的颗粒物,获得薄膜厚度降低后的高质量六方氮化硼二维薄膜,这种方法对于降低氮化硼薄膜厚度与提高薄膜质量是有益的。

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转让材料

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身份证
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