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一种沿(040)晶面取向生长的BiVO<sub>4</sub>薄膜的制备方法

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专利号 201510149581X 专利名称 一种沿(040)晶面取向生长的BiVO<sub>4</sub>薄膜的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C03C17/22,C04B41/50
申请人 陕西科技大学 申请地址 陕西省西安市未央区大学园1号
发明人 任慧君 申请日期 2015-03-31
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 09:42:32
专利摘要 本发明提供一种沿(040)晶面取向生长的BiVO<sub>4</sub>薄膜的制备方法,将五水硝酸铋和钒酸氨溶于水中,以稀硝酸调节pH值,以柠檬酸为络合剂,制成前驱液,将基板在紫外光照射下进行功能化处理,使基板表面形成羟基层,再将功能化的基板悬浮于前驱液表面,羟基与‑[C<sub>6</sub>H<sub>2</sub>O<sub>7</sub>BiVO<sub>3</sub>]<sub>n</sub>‑进行缩聚反应在基板表面异相成核,液相自组装诱导生长制备出非晶态‑O‑[C<sub>6</sub>HO<sub>6</sub>BiVO<sub>3</sub>]<sub>n</sub>‑前驱薄膜,再经干燥、退火,制得晶化的BiVO<sub>4</sub>薄膜。本发明工艺简单,实验条件要求较低,工艺过程易控制。该方法是对液相自组装技术的成功应用,将本发明的方法应用于BiVO<sub>4</sub>薄膜的制备,在光催化领域具有广阔的应用前景。

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身份证
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