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一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2014100694864
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2014100694864 | 专利名称 | 一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C30B23/02,C30B29/52,B82Y40/00 |
| 申请人 | 常熟市知识产权运营中心有限公司 | 申请地址 | 江苏省苏州市常熟市常福街道联丰路68号4号楼5楼 |
| 发明人 | 何苗 | 申请日期 | 2014-02-27 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-05-27 09:36:13 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种II型GaSb/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As量子点超晶格材料及其生长方法，该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As缓冲层，第四层为GaSb量子点；其生长方法为先在InP衬底表面生长缓冲层后，生长4～5ML?GaSb量子点，再生长缓冲层，最后再生长4～5ML?GaSb量子点；本发明实现了采用MBE技术在InP衬底上以S?K模式生长获得GaSb/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As量子点，其形貌质量好、光学性能佳；本发明方法有效避免了As?Sb互换，显著降低了晶格失配度和Ga原子迁移。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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