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一种压接式IGBT器件结构优化设计方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2019111163240
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2019111163240 | 专利名称 | 一种压接式IGBT器件结构优化设计方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | G06F30/23(2020.01),G06F30/367(2020.01),G06F119/14(2020.01) |
| 申请人 | 湖南城市学院 | 申请地址 | 413000 湖南省益阳市迎宾东路518号 |
| 发明人 | 黄志亮 | 申请日期 | 2019-11-15 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-05-27 09:11:16 |
| 专利摘要 | 本发明涉及大功率半导体器件结构设计技术领域；公开了一种压接式IGBT器件结构优化设计方法，该方法包括以下处理步骤：基于待优化的压接式IGBT器件，选取设计目标；基于压接式IGBT器件，建立热力耦合有限元分析模型M0，进一步地选取耦合温度‑位移稳态求解器对有限元分析模型M0求解；基于各芯片的位置及应力值，建立应力平衡系数响应面；组成初始系数向量a（0）为初始点，构建优化模型并对其求解得到最优系数向量a*；基于最优平衡系数，构建银片设计方案。与现有技术相比，所提方法建立的结构优化模型，可基于现有有限元分析商业软件及经典的优化算法进行求解，从而避免了繁琐、复杂的编程过程，从而具有良好的工程易用性。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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