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一种随机载荷下压接式IGBT器件性能稳健性优化设计方法

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专利号 2020103978651 专利名称 一种随机载荷下压接式IGBT器件性能稳健性优化设计方法
专利类型 发明专利 国际分类 G06F30/3308(2020.01),G06F119/08(2020.01),G06F119/14(2020.01)
申请人 申请地址 413000 湖南省益阳市迎宾东路518号
发明人 申请日期 2020-05-12
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 09:11:14
专利摘要 本发明涉及全控型电压驱动式功率半导体器件领域;公开了一种随机载荷下压接式IGBT器件性能稳健性优化设计方法,该方法包括以下处理步骤:基于待优化的压接式IGBT器件,选取设计目标和约束;提取应力分析相关结构并给定分析参数;建立热力耦合有限元模型;建立IGBT器件性能函数;构建IGBT器件性能稳健性优化模型;求解性能稳健性优化模型;基于最优解,构建IGBT器件的最优结构设计方案。与现有技术相比,所提方法中给出性能稳健性优化设计模型及求解方法,兼顾了芯片最大接触应力和最小典型接触应力,考虑了芯片热载荷的随机过程,为随机载荷下的IGBT性能稳健性优化提供了一种高效的设计工具。

交易流程

转让材料

买卖双方需提供 平台提供 转让后买方可获得
企业 个人 专利代理委托书
专利权转让协议
办理文件副本请求书
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专利证书
手续合格通知书
专利登记簿副本
买方 企业营业执照
企业组织机构代码证
身份证
卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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