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专利号	2021100207365	专利名称	一种背入射p-i-n结构钙钛矿太阳电池及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L51/42(2006.01),H01L51/44(2006.01),H01L51/46(2006.01),H01L51/48(2006.01)
申请人		申请地址	313000 浙江省湖州市二环东路759号
发明人		申请日期	2021-01-07
下证状态	未知	更新时间	2025-05-27 09:06:17
专利摘要	本发明公开了一种背入射p‑i‑n钙钛矿太阳电池及其制备方法，利用垂直生长于FTO衬基上的氧化铜纳米棒阵列作为钙钛矿太阳电池的空穴传输层，并制成以FTO为阴极和透明复合电极（V2O5/Ag/V2O5）为阳极的背入射钙钛矿太阳电池。发现氧化铜纳米棒阵列构筑的背入射p‑i‑n钙钛矿太阳电池的短路电流密度为23.98 mA/cm2，效率为17.46%；与氧化铜纳米薄膜空穴传输层制备的钙钛矿电池相比，氧化铜纳米阵列空穴传输层制备的钙钛矿电池的短路电流密度和效率大幅度提升，短路电流密度提高了约1.4倍，效率增加了约1.7倍。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
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