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专利号	2018101761169	专利名称	一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法
专利类型	发明专利	国际分类	C30B29/54,C30B7/00,H01L21/8238
申请人	苏州大学	申请地址	江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
发明人	张秀娟	申请日期	2018-03-02
下证状态	未知	更新时间	2025-05-27 08:51:43
专利摘要	本发明提供了一种有机单晶微米带P‑N异质结阵列的生长方法。该方法包括：提供一基底，并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列；利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰，以获得光刻胶模板；将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带；将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶微米带P‑N异质结阵列。制备的微米带P‑N异质结阵列均为单晶材料，且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P‑N异质结。

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