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一种离子布植方法、装置及设备

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专利号 2020111980634 专利名称 一种离子布植方法、装置及设备
专利类型 发明专利 国际分类 H01L21/265,H01J37/317
申请人 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 申请地址 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室
发明人 杨学人 申请日期 2020-10-30
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 08:50:50
专利摘要 本发明公开了一种离子布植方法、装置及设备。该离子布植方法包括:提供带状离子束流;样片从带状离子束流的第一端旋转运动至带状离子束流的第二端时,控制带状离子束流对样片进行离子布植,其中带状离子束流的第一端指向第二端的方向为带状离子束流的延伸方向。本发明实施例提供的技术方案,在缩短样片离子布植时间的基础上,提高了样片表面离子掺杂的均匀度。

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身份证
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