发明专利
专利类型未知
专利状态2019108421853
专利号专利号 | 2019108421853 | 专利名称 | 一种采用镜像结构的栅压自举采样开关电路 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H03K17/042(2006.01) |
申请人 | 申请地址 | 400065 重庆市南岸区南山街道崇文路2号 | |
发明人 | 申请日期 | 2019-09-06 | |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-05-27 08:50:26 |
专利摘要 | 本发明请求保护一种采用镜像结构的栅压自举采样开关电路,通过采用“镜像”结构使得自举电容增大为传统电路的2倍,提高采样开关线性度;采用钟控虚拟MOS管吸收相关MOS管产生的沟道电荷的技术,抑制沟道电荷注入;采用钟控反相器输出端驱动NMOS管M10与NMOS管M12的结构,减小采样开关管M11栅极节点的寄生电容,抑制电路电荷共享,在采样开始阶段,NMOS管M10和NMOS管M12分别与PMOS管MOS管M5和PMOS管M13同时导通,加快采样开关的导通速度,在采样到保持转换瞬间,PMOS管M8与NMOS管M9组成电路以及PMOS管M16与NMOS管M17组成电路有一段时间同时保持导通,加快采样开关的关断速度。本电路有效地提高了栅压自举采样开关电路的线性度及开关速度,从而有效地改善了栅压采样开关电路整体性能。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
专利状态:已下证
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