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二硫化钼纳米片包覆钛基MOF衍生二氧化钛复合材料、制备方法及应用

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专利号 2021102416384 专利名称 二硫化钼纳米片包覆钛基MOF衍生二氧化钛复合材料、制备方法及应用
专利类型 发明专利 国际分类 C01G39/06(2006.01),C01G23/047(2006.01),C01B32/05(2017.01),H01M4/36(2006.01),H01M4/48(2010.01),H01M4/58(2010.01),H01M4/62(2006.01),H01M10/0525(2010.01)
申请人 青岛科技大学 申请地址 266100 山东省青岛市崂山区松岭路99号
发明人 林健健 申请日期 2021-03-04
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 08:10:50
专利摘要 本发明公开了一种二硫化钼纳米片包覆钛基MOF衍生二氧化钛复合材料的制备方法,涉及电池材料技术领域。包括以下步骤:提供钛基MOF材料,将钛基MOF材料在惰性气体或氮气的保护下煅烧,获得钛基MOF衍生的二氧化钛;以钛基MOF衍生的二氧化钛和碳源为原料,以水为溶剂,通过水热反应,获得碳包覆二氧化钛复合物;将钼源和硫源均匀分散于水溶剂中,再加入碳包覆二氧化钛复合物,混合均匀后,于200~230℃,保温20~24h,即得所述复合材料。本发明通过层状MoS2纳米片包覆以钛基MOF为前驱体制备的TiO2材料,两种材料间结合紧密,同时,在TiO2材料表面包覆均匀碳层,不仅提高材料导电性,更为MoS2的均匀包覆提供大量位点。

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