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一种具有辐射干扰结构的半导体检测设备

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专利号 2024110860686 专利名称 一种具有辐射干扰结构的半导体检测设备
专利类型 发明专利 国际分类 G01R 31/26 (2020.01),G01R 31/01 (2020.01),G01R 1/04 (2006.01)
申请人 张家港市星熠科技有限公司 申请地址 江苏省苏州市张家港市张家港经济技术开发区国泰北路1号A幢1217室
发明人 申请日期 2024-08-08
下证状态 未缴费 更新时间 2025-02-06 15:20:15
专利摘要 本发明涉及半导体检测技术领域,尤其涉及一种具有辐射干扰结构的半导体检测设备,所述具有辐射干扰结构的半导体检测设备包括立柱、辐射干扰腔、齿环、上料部件和检测部件,所述辐射干扰腔固定连接在所述立柱上端,所述齿环转动连接在所述辐射干扰腔内,所述齿环开设有呈环形阵列设置的多个凹槽,多个所述凹槽内侧壁上分别固定连接有托盘,本发明中拨动板就会推动新的半导体重新这一组放置板进行上料,从而实现竖板利用放置板对托盘上料,而拨动板能够对放置板进行上料,因此自动对托盘不断的上料作用。

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