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专利号	2019106515714	专利名称	一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用
专利类型	发明专利	国际分类	H01L21/02,H01L31/18,B82Y20/00,B82Y40/00
申请人	商丘师范学院	申请地址	河南省商丘市平原中路55号
发明人	李立强	申请日期	2019-07-18
下证状态	未知	更新时间	2025-01-14 07:35:00
专利摘要	本发明公开了一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用，所述二维纳米结构阵列由在FTO玻璃衬底上生长的规则排列的半导体纳米片团簇构成。本发明是在FTO玻璃衬底上，通过水热法直接生长Cu<sub>x</sub>S纳米片团簇，然后在其上SILAR铟镓硫，再进行退火，使沉积的铟镓硫部分进入到Cu<sub>x</sub>S晶格中，得到铜铟镓硫二维纳米结构阵列。其中，SILAR法能够通过控制沉积循环数来调节沉积薄膜的厚度，同时该方法继承了原子层沉积的优点，可实现薄膜在复杂基底的均匀沉积。本发明制备的二维纳米结构阵列排列有序，周期性好，光吸收性能优良，可用于高效率大面积太阳能电池的制备。

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