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一种制备晶硅纳米结构减反射层的方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
201610460217X
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 201610460217X | 专利名称 | 一种制备晶硅纳米结构减反射层的方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L31/18,H01L31/0236 |
| 申请人 | 商丘师范学院 | 申请地址 | 河南省商丘市梁园区平园中路55号 |
| 发明人 | 赵世华 | 申请日期 | 2016-06-21 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-14 07:34:42 |
| 专利摘要 | 本发明了提出一种在通电条件下对硅衬底进行化学腐蚀制备减反射层的方法。本发明的方法可以方便地在低电阻率的p型硅衬底上制备晶硅减反射层，制备成本低。利用本发明方法所获的减反射层尺寸结构较大，减反射效果明显，表面复合较小，与现有工业化生产工艺兼容性较好，制成太阳电池以后，其电池片的转换效率可提高0.2％左右。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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